ସିଲିକା ଜେଲ୍ ଉତ୍ପାଦଗୁଡିକର ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ ଏବଂ ଉତ୍ପାଦନରେ, ଚକ୍ର ସମୟକୁ ଯଥାସମ୍ଭବ ଛୋଟ କରିବାକୁ, ପେରକ୍ସାଇଡ୍ ସିଲିକା ଜେଲ୍ ପାଇଁ, ଆପଣ ଅପେକ୍ଷାକୃତ ଅଧିକ ଉଚ୍ଚ ଭଲକାନାଇଜେସନ୍ ତାପମାତ୍ରା ବାଛିପାରିବେ |ସିଲିକନ୍ ଉତ୍ପାଦଗୁଡିକର ବିଭିନ୍ନ କାନ୍ଥର ଘନତା ଅନୁଯାୟୀ, ଛାଞ୍ଚର ତାପମାତ୍ରା ସାଧାରଣତ 180 180 ℃ ରୁ 230ºC ମଧ୍ୟରେ ଚୟନ କରାଯାଇଥାଏ |ତଥାପି, ସିଲିକା ଜେଲ୍ ଉତ୍ପାଦଗୁଡ଼ିକର ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ ଏବଂ ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ଅନେକ ସମୟରେ କଣ୍ଟା ସମସ୍ୟା ଦେଖାଦେଇଥାଏ |ନିମ୍ନଲିଖିତ ବିନ୍ଦୁଗୁଡ଼ିକ ପ୍ରତି ଧ୍ୟାନ ଦେବା ଆବଶ୍ୟକ |
(1) ଯଦି ତାପମାତ୍ରା ଅତ୍ୟଧିକ ଅଧିକ ହୁଏ, ତେବେ ବିଭାଜନ ପୃଷ୍ଠରେ ଫାଟ ସୃଷ୍ଟି ହେବ, ବିଶେଷତ large ବଡ଼ ଘନତା ବିଶିଷ୍ଟ କାର୍ଯ୍ୟକ୍ଷେତ୍ର ପାଇଁ |ଭଲକାନାଇଜେସନ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ବିସ୍ତାର ହେତୁ ଅତ୍ୟଧିକ ଆଭ୍ୟନ୍ତରୀଣ ଚାପ ଦ୍ୱାରା ଏହା ହୋଇଥାଏ |ଏହି ପରିସ୍ଥିତିରେ, ଛାଞ୍ଚର ତାପମାତ୍ରା ହ୍ରାସ କରାଯିବା ଉଚିତ୍ |ଇଞ୍ଜେକ୍ସନ୍ ୟୁନିଟ୍ ର ତାପମାତ୍ରା 80 ℃ ରୁ 100 at ରେ ସେଟ୍ ହେବା ଉଚିତ |ଯଦି ଆପଣ ଅପେକ୍ଷାକୃତ ଲମ୍ବା ଆରୋଗ୍ୟ ସମୟ କିମ୍ବା ଚକ୍ର ସମୟ ସହିତ ଅଂଶ ଉତ୍ପାଦନ କରୁଛନ୍ତି, ତେବେ ଏହି ତାପମାତ୍ରା ଟିକେ ହ୍ରାସ କରାଯିବା ଉଚିତ |
(୨) ପଲିଥିନ୍ ସିଲିକା ଜେଲ୍ ପାଇଁ, ନିମ୍ନ ତାପମାତ୍ରା ବ୍ୟବହାର କରିବାକୁ ପରାମର୍ଶ ଦିଆଯାଇଛି |ସାଧାରଣତ ,, ଇଞ୍ଜେକ୍ସନ୍ ୟୁନିଟ୍ ର ତାପମାତ୍ରା 60 than ରୁ ଅଧିକ ହୁଏ ନାହିଁ |
()) ପ୍ରାକୃତିକ ରବର ସହିତ ତୁଳନା କଲେ କଠିନ ସିଲିକା ଜେଲ୍ ଶୀଘ୍ର ଛାଞ୍ଚକୁ ପୂର୍ଣ୍ଣ କରିପାରେ |ଅବଶ୍ୟ, ବାୟୁ ବବୁଲ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ଅପରିଷ୍କାରତାକୁ ଏଡ଼ାଇବା ଏବଂ ହ୍ରାସ କରିବା ପାଇଁ ଇଞ୍ଜେକ୍ସନ ବେଗ ହ୍ରାସ କରାଯିବା ଉଚିତ |ଚାପ ସଂରକ୍ଷଣ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଅପେକ୍ଷାକୃତ ସ୍ୱଳ୍ପ ସମୟ ଏବଂ ଏକ ଛୋଟ ଚାପ ପାଇଁ ସେଟ୍ ହେବା ଉଚିତ |ଅତ୍ୟଧିକ ଉଚ୍ଚ କିମ୍ବା ଅତ୍ୟଧିକ ଲମ୍ବା ଚାପ ଧରିବା ଦ୍ gate ାରା ଗେଟ୍ ଚାରିପାଖରେ ରିଟର୍ନ ନଚ୍ ଉତ୍ପନ୍ନ ହେବ |
(4) ସିଲିକନ୍ ରବରର ପେରକ୍ସାଇଡ୍ ଭଲକାନାଇଜେସନ୍ ସିଷ୍ଟମ୍, ଭଲକାନାଇଜେସନ୍ ସମୟ ଫ୍ଲୋରାଇନ୍ ରବର କିମ୍ବା ଇପିଏମ୍ ସହିତ ସମାନ, ଏବଂ ପ୍ଲାଟିନାଇଜଡ୍ ସିଲିକା ଜେଲ୍ ପାଇଁ ଭଲକାନାଇଜେସନ୍ ସମୟ ଅଧିକ ଏବଂ ଏହାକୁ 70% ହ୍ରାସ କରାଯାଇପାରେ |
(5) ସିଲିକା ଜେଲ୍ ଧାରଣ କରିଥିବା ଏଜେଣ୍ଟକୁ କଠୋର ନିଷେଧ |ଅନ୍ୟଥା, ସାମାନ୍ୟ ସିଲିକା ଜେଲ୍ ପ୍ରଦୂଷଣ ମଧ୍ୟ ଛାଞ୍ଚ ଷ୍ଟିକ୍ ହେବାର କାରଣ ହେବ |
ପୋଷ୍ଟ ସମୟ: ଡିସେମ୍ବର -01-2022 |